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產品分類CLASSIFICATION
詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 兩周 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環保,化工 |
III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年，擁有一支超過30年紅外探測器研究經驗的資深專家隊伍，是MCT/InAs/InAsSb探測器的設計者和制造商，提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片，覆蓋1-16μm光譜范圍，同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。
VIGO的ENT外延部門生產III-V(GaAs-，InP-)相關的半導體化合物，在外延方面有35年的經驗，并且能夠根據客戶需求提供定制服務。VIGO利用MOCVD外延技術制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導體的原子工程外延層，具有德國柏林廠商Laytec的監控生產系統，擁有水平層流反應器，進行基片載流子的多次旋轉產品。這條新產品線擴展了VIGO公司的產品組合，為各種微電子和光子應用提供外延服務，下游的應用包含三極管，二極管，激光器，探測器等。具有以下特點：
外延納米技術，超越單一技術解決方案
大規模生產或小批量制造，提供多類優質外延片
生產的高級III-V族化合物半導體外延結構，被廣泛運用于光子設備（F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測器）、微電子設備（二極管、晶體管）
聚焦無線、電信、傳感或打印領域的高度創新型產品，可提供全面的研發服務。
超高純度
精確控制厚度在±1nm
優秀的均勻性
重現性
可外延尺寸 2, 3, 4，8英寸
XRD曲線：
產品純度一致性：
表面粗糙度：
量子井：
半導體類型：
場效應晶體管，被動器件，高遷移率晶體管
EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots
LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness
InGaAs, AlGaAs探測器,SWIR, LWIR
外延晶圓類型：
GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P
InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y
| GAAS BASED PRODUCTS | INP BASED PRODUCTS | ||
| AlGaAs/GaAs | QW edge emitting lasers
VCSELs FETs, HEMTs, Schottky diodes varactors | InGaAsP/InP | strained or matched QW edge emitting lasers and SOAs 1300 – 1600nm |
| GaAsP/GaAs | strained QW edge emitting lasers | InGaAs/InP | QW edge emitting lasers |
| InGaAsP/GaAs | QW lasers 808nm | InGaAsP/InP | VCSEL structures |
| InGaAs/AlGaAs/GaAs | strained QW lasers | InAlGaAs/InP | edge emitting and VCSEL structures |
| InAs/GaAs | QD lasers | InGaAsP/InP | passive devices |
| AlGaAs/GaAs | passive waveguides | InGaAs | photodetectors |
| Manufactured to specification | InAlAs/InGaAs/InP | HEMTs | |
| Manufactured to specification | |||
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